特許
J-GLOBAL ID:200903003911365809

スパッタリング用ABOx高誘電体ターゲットの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 倉内 基弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-085089
公開番号(公開出願番号):特開平6-272033
出願日: 1993年03月22日
公開日(公表日): 1994年09月27日
要約:
【要約】【目的】 湿式処理工程を不要とし、ターゲット組織の微細化・不均一性を改善し、膜の酸素量のコントロールを容易するPZT系又はPLZT系高誘電体ターゲット製造方法の確立。【構成】 一般式ABOX (A=Pbm 又はPbm-a Laa 、B=Zrn-b Tib そしてX=0〜3.0、但し0.9≦m≦1.2、0.9≦n≦1.2、0.001≦a≦0.2、b≦0.7)で表されるPZT系又はPLZT系高誘電体ターゲットの製造方法において、ターゲット構成元素Pb、Zr、Ti、Laの純金属及び/又は酸化物から成る原料粉末をメカニカルアロイングによりPZT系又はPLZT系粉末とし、ターゲットとして形成する。構成元素の原料粉末を純金属とするか或いは酸化物とするかの選択を通してXをコントロールする。均一微細な組織の、パーティクル発生量の少ないスパッタ特性のよい低コストターゲットを製造しうる。
請求項(抜粋):
一般式ABOX (A=Pb又はPb+La、B=Zr+TiそしてX=0〜3.0)で表されるPZT系又はPLZT系ターゲットの製造方法において、ターゲット構成元素Pb、Zr及びTi又はPb、Zr、Ti及びLaの純金属及び/又は酸化物から成る原料粉末混合物をメカニカルアロイングによりPZT系又はPLZT系粉末としそしてターゲットとして形成することを特徴とするスパッタリング用ABOX 高誘電体ターゲットの製造方法。

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