特許
J-GLOBAL ID：200903003911373763
半導体レーザ駆動回路および半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181952
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022263
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 回路構成を複雑化せず、装置を大型化することなく、温度変化に対する光出力の変動を抑え、且つ半導体レーザの過熱による問題を同時に解消した半導体レーザ駆動回路およびそれを含んだ半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 抵抗急峻変化前の低温度領域で-1.5〜-0.5%/°Cの温度係数を示し、+70°Cを超える温度で温度係数が正に転じる正特性サーミスタ素子を半導体レーザに直列接続する。これにより低温度領域で温度補償を行って光出力を安定化し、高温度領域での異常過熱保護を行う。
請求項（抜粋）：
半導体レーザに対して通電を行う半導体レーザ駆動回路において、前記半導体レーザの通電電流経路に、-20°C〜+70°Cの温度領域で-1.5%/°C〜-0.5%/°Cの温度係数を示し、+70°Cを超える温度で温度係数が正に転じる正特性サーミスタ素子を直列に接続したことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Fターム (6件)：
5F073BA06
, 5F073EA15
, 5F073FA24
, 5F073GA14
, 5F073GA21
, 5F073GA32
