特許

J-GLOBAL ID：200903003913310491

粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ

発明者： 上野 巌 ,  生越 洋一 ,  野井 慶一 ,  若畑 康男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121190
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326535
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 バリスタ特性がさらに向上した粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサを提供することを目的とするものである。【構成】 内部電極2用のペーストとしてNi、またはNi原子を含む化合物に、Li,Na,K原子の内少なくとも一種類以上と、Cu,Mn,Pb,Bi,Co原子の内少なくとも一種類以上とを、固溶させたものを用いた。

請求項（抜粋）：

セラミック体と、このセラミック体に設けた電極とを備え、前記電極は、Ni、またはNiを含む化合物に、Li,Na,K原子の内少なくとも一種類以上と、Cu,Mn,Pb,Bi,Co原子の内少なくとも一種類以上とを固溶させたペーストを出発原料として形成したものよりなる粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/008