特許
J-GLOBAL ID：200903003913501602
半導体レーザーダイオード製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273404
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】レーザー発振時の熱発散効果に優れた半導体レーザダイオードを高い信頼性で製造する。【構成】この半導体レーザーダイオード製造方法では、まず、第1電導型の半導体基板の上面に、第1電導型のバッファ層〜第2電導型のキャップ層を順次に成長させて積層する。次に、キャップ層の両側縁の上面にチャネルマスクを形成する。次に、両側のチャネルマスクの間に、所定の大きさの抵抗性接触第1金属層を形成する。次に、第1金属層を上部に置くリッジを形成するために、チャネルマスクと第1金属層をマスクとして所定の深さまで選択的に食刻する。次に、リッジ部および食刻部の全面にかけて電流遮断層を形成する。次に、電流遮断層に感光性樹脂を塗布し、その後選択的に食刻して第1金属層を露出させる。次に、残留した残り感光性樹脂を取り除く。最後に、感光性樹脂が取り除かれた基板に第2金属層を蒸着する。
請求項（抜粋）：
第1電導型の半導体基板の上面に、第1電導型のバッファ層、第1電導型の第1クラッディング層、第1導波層、活性層、第2導波層、第2電導型の第2クラッディング層、第2電導型のキャップ層を順次に成長させて積層する(a)工程と、前記(a)工程で形成された前記キャップ層の両側縁の上面にチャネルマスクを形成する(b)工程と、前記(b)工程で形成された両側のチャネルマスクの間に、所定の大きさの抵抗性接触第1金属層を形成する(c)工程と、前記第1金属層を上部に置くリッジを形成するために、前記チャネルマスクと前記第1金属層をマスクとして前記(c)工程の結果物を所定の深さまで選択的に食刻する(d)工程と、前記(d)工程で形成されたリッジ部および食刻部の全面にかけて電流遮断層を形成する(e)工程と、前記(e)工程で形成された電流遮断層に感光性樹脂を塗布し、その後選択的に食刻して前記第1金属層を露出させる(f)工程と、前記(f)工程で残留した残り感光性樹脂を取り除く(g)工程と、前記(g)工程で感光性樹脂が取り除かれた基板に第2金属層を蒸着する(h)工程と、を含む半導体レーザーダイオード製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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