特許

J-GLOBAL ID：200903003914882669

半導体集積回路装置及びこの製造方法並びにそれを用いた電子装置

発明者： 内田 明久 ,  佐藤 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016302
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213847
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 空冷方式によるLSIにおいても熱抵抗を低減して放熱効率の改善を図ることが可能な技術を提供する。【解決手段】 例えばアルミニウムナイトライド(AlN)、銅タングステン(CuW)などからなる、Siと熱膨張率が近似しかつ熱伝導率が近似した第1の放熱体6が用いられ、この第1の放熱体6のほぼ中央位置には凹部7が設けられて、Siからなる半導体チップ1は凹部7に位置決めされることにより例えばシリコーン樹脂、半田などからなる熱伝導性に優れた接着層8を介してその裏面1B及び側面1Cが第1の放熱体6によって覆われている。例えばCu系あるいはAl系金属などからなる熱伝導率の高い第2の放熱体9が用いられて、この第2の放熱体9は例えばシリコーン樹脂、半田などからなる熱伝導性に優れた接着層8を介して、第1の放熱体6に取り付けられている。

請求項（抜粋）：

半導体チップをボール状電極を介してベース基板にフェースダウンボンディングするとともに、その裏面に放熱体を取り付け、前記ベース基板の底面に前記ボール状電極と導通する実装用電極を配置した半導体集積回路装置であって、前記半導体チップの裏面及び側面を覆う第1の放熱体と、この第1の放熱体に取り付けられた第2の放熱体とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/40

FI (3件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/40 F