特許

J-GLOBAL ID：200903003919040135

半導体装置の製造方法

発明者： 尾上 美名子
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288394
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 ヒューズ部上の残膜厚のばらつきを低減することができ、歩留まりの向上と工程の時間短縮を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜2の上にヒューズ素子9を形成し、ヒューズ素子9の上に層間絶縁膜4を形成し、層間絶縁膜4の上に配線層5を形成するとともに、ヒューズ素子9の直上の層間絶縁膜4の上に配線層5と同一素材からなるヒューズカバー10を形成し、配線層5およびヒューズカバー10の上に層間絶縁膜6を形成し、層間絶縁膜6にコンタクト窓14を開口してヒューズカバー10を露出し、露出したヒューズカバー10および層間絶縁膜6の上に配線層7を形成し、配線層7をエッチングして層間絶縁膜6の所望の領域に配線パターンを形成すると同時に、コンタクト窓14中に形成された配線層7とそれに密着するヒューズカバー10を除去する。

請求項（抜粋）：

第1の層間絶縁膜の上にヒューズ素子を形成する工程と、前記ヒューズ素子の上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜の上に第1の配線層を形成するとともに、前記ヒューズ素子の直上の前記第2の層間絶縁膜の上に前記第1の配線層と同一素材からなるヒューズカバーを形成する工程と、前記第1の配線層および前記ヒューズカバーの上に第3の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第3の層間絶縁膜にコンタクト窓を開口して前記ヒューズカバーを露出する工程と、前記露出したヒューズカバーおよび前記第3の層間絶縁膜の上に第2の配線層を形成する工程と、前記第2の配線層をエッチングして前記第3の層間絶縁膜の所望の領域に配線パターンを形成すると同時に、前記コンタクト窓中に形成された第2の配線層とそれに密着する前記ヒューズカバーを除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。