MR素子式回転センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198372
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043260
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】シグナルロータのREF突起からの磁気干渉を受けても、出力レベルの変動の少ないPOS信号の検出及びREF信号の検出が可能なMR素子式回転センサ。【解決手段】POS用第1ギア12と第2ギア13の間にREF用ギア14を配設し、第1ギア12の突起15と第2ギア13の突起16は、ピッチPで、互いにP/2の位相のずれを有して形成され、REF用ギア14にはREF用突起17が形成され、第1ギア12に対向してPOS検出用MR素子18が、第2ギア13に対向してPOS検出用MR素子19が、また、REF用ギア14に対向してREF検出用MR素子20、21がピッチP/2でが配設されている。

請求項（抜粋）：

バイアス磁石に対設した磁性回転体による磁界の変化を、MR素子の中点電位を回転信号として検出する検出手段により、前記回転体の角度信号と基準信号を出力するMR素子式回転センサにおいて、前記回転体に設けたピッチPで形成された第1の角度信号表示手段と、第1の角度信号手段と同軸上にピッチPで第1の角度信号表示手段に対しλP(0<λ<1)だけ位相をずらして形成された第2の角度信号表示手段と、第1の角度検出手段と第2の角度検出手段に挟まれ、かつ、同軸上に形成した基準位置信号表示手段と、前記磁性回転体の半径方向に、第1、第2の角度信号表示手段及び前記基準位置信号表示手段に近接して設けたバイアス磁石と、前記第1、第2の角度信号表示手段とそれぞれ対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に挟まれた角度検出用MR素子と、前記基準位置信号表示手段と対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に挟まれて前記第1、第2の角度信号表示手段に対しピッチPなる位相差で形成した複数の基準位置検出用MR素子とを有することを特徴とするMR素子式回転センサ。

IPC (3件)：

G01P 3/488 , G01D 3/028 , G01D 5/245

FI (3件)：

G01P 3/488 D , G01D 5/245 X , G01D 3/04 F

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