特許

J-GLOBAL ID：200903003924464067

基板の研磨方法

発明者： 松沢 純 ,  倉田 靖 ,  丹野 清仁 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078734
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330014
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【目的】 基板に形成されたグローバルな平坦化が可能で、かつ微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜を選択的に研磨する基板の研磨方法を提供する。【構成】 絶縁膜中のシロキサン結合に由来するSi原子数とアルキル基に由来するC原子数が、C原子数/(Si原子数+C原子数)≧0.1の関係にある有機SOG膜を、有機SOG膜に対する研磨速度:SiO2膜に対する研磨速度が10:1以上である酸化セリウム研磨剤により研磨する。【効果】 半導体基板では各層において全面に渡りその表面の段差がほとんど生じなくなるので、配線の微細化にも十分に対応でき、高密度・高集積化による多層配線化が実現できる。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に絶縁膜層を形成し、前記絶縁膜層を研磨する工程を含む基板の研磨方法であって、前記絶縁膜層がアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシランを有機溶媒中で水及び触媒を添加し加水分解して得られる塗布液を前基板上に塗布後加熱硬化させて得られたものであり、かつ絶縁膜中のシロキサン結合に由来するSi原子数とアルキル基に由来するC原子数が、C原子数/(Si原子数+C原子数)≧0.1の関係にある絶縁膜であり、前記絶縁膜に対する研磨速度とSiO2膜に対する研磨速度との比が10以上である酸化セリウム研磨剤により研磨することを特徴とする基板の研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C01F 17/00 ,  C09C 1/68 PAA ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  C01F 17/00 A ,  C09C 1/68 PAA ,  H01L 21/90 P