特許

J-GLOBAL ID：200903003929801614

磁気抵抗効果素子

発明者： 五十嵐 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168415
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 第1の強磁性層に磁壁が発生することを抑制する。【解決手段】 第1のバイアス層4上にスピンバルブ膜2を形成する。このことにより、スピンバルブ膜2における第1の強磁性層10の中央部にもバイアス磁界が印可されるため、第1の強磁性層10における磁壁の発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層、非磁性層、第2の強磁性層、及び反強磁性層がこの順に積層されてなるスピンバルブ膜と、上記スピンバルブ膜の下面に形成される第1の硬磁性層と、上記スピンバルブ膜の長手方向の両端部に形成される第2の硬磁性層とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R

Fターム (16件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01