特許

J-GLOBAL ID：200903003935528172

半導体装置の製造方法

発明者： 辨崎 清隆
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214161
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066150
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入層の活性化のためのアニールを行う場合に、アニールによる保護膜の膜破損を防止するとともにイオン注入層の高活性化率を実現することができる、半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板上にイオン注入後、イオン注入層の活性化のためのアニールを行う工程を有する半導体装置の製造方法において、プラズマCVD法により、前記半導体基板上に連続的に膜質が変化したSiNx膜を1回の成膜工程で形成し、前記SiNx膜を保護膜として、イオン注入層の活性化のためのアニールを行う半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にイオン注入後、イオン注入層の活性化のためのアニールを行う工程を有する半導体装置の製造方法において、プラズマCVD法により、前記半導体基板上に連続的に膜質が変化したSiNx膜を1回の成膜工程で形成し、前記SiNx膜を保護膜として、イオン注入層の活性化のためのアニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-097015
  
• 特開平4-068523
  
• 特開平2-106035
  
• 特開平3-136237