特許
J-GLOBAL ID：200903003936115602
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216115
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 吸水や脱離ガスの少ないSOG膜を形成し、特に、ビアコンタクト部での配線の導通不良を防止する。【構成】 下層のAl配線2を形成した後、シリコン酸化膜3をプラズマCVD法により形成し、この後、全面にSOG溶液を回転塗布し、これを空気等の酸化雰囲気中で熱処理することによりSOG溶液のシラノール基の脱水縮合反応を充分に行わせ、しかる後、このようにして形成されたSOG膜4の上にシリコン酸化膜5をプラズマCVD法により形成し、これらのシリコン酸化膜5、SOG膜4及びシリコン酸化膜3にコンタクトホール8を開孔した後、更に、酸化雰囲気中で熱処理する。これにより、コンタクトホール8の内部に上層配線のAlをスパッタ形成する際、そのスパッタ不良を低減し、配線の導通不良を防止する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を形成すべき下地の上にSOG溶液を塗布し、このSOG溶液が塗布された半導体装置を空気中で熱処理することにより、層間絶縁膜の少なくとも一部である前記絶縁膜としてSOG膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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