特許
J-GLOBAL ID：200903003936362499

電界効果トランジスタ及びゲート電極の形成方法

発明者：
大木 強師

大木 強師 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257215
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 耐圧が高く、しかも寄生容量が小さく、高周波特性の良好な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本電界効果トランジスタは、GaAs基板41上に形成された化合物半導体系の電界効果トランジスタであって、GaAs基板上に形成されたSiN膜42を貫通してGaAs基板のチャンネル領域(図示せず)に電気的に接続するゲート電極52を有する。ゲート電極は、GaAs基板上に形成されたSiN膜を貫通してGaAs基板のチャンネル領域(図示せず)を露出させたゲート開口部46を埋め込んで形成した導電性プラグ部52aと、導電性プラグ部52aの上部からSiN膜上に延在する導電性延在部52bとからなるT字型ゲート電極として形成されている。ゲート電極は、電子銃蒸着法又はスパッタ法で形成されたゲート電極下地膜48と、ゲート電極下地膜上に電解メッキ法によって被着させたゲート電極金属層51との積層膜として構成されている。T字型ゲート電極52の延在部52bの周辺部分は、SiN膜から離隔して、SiN膜との間に間隙Gを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜を貫通して半導体基板のチャンネル領域に電気的に接続するゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極が、絶縁膜を貫通してチャンネル領域を露出させた貫通孔を埋め込んで形成された導電性プラグ部と、導電性プラグ部の上部から絶縁膜上に傘状に延在する導電性延在部とを備えるT字型ゲート電極として形成され、T字型ゲート電極の延在部は、導電性プラグ部近傍領域で絶縁膜に接し、周辺部分で絶縁膜から離隔して、絶縁膜との間に間隙を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417
FI (3件)：
H01L 21/288 M ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/50 J
Fターム (26件)：
4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (7件)
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