特許

J-GLOBAL ID：200903003938664263

磁気抵抗素子

発明者： 佐藤 秀樹 ,  鈴木 利尚 ,  山下 正芳
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 大庭 咲夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274477
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 交換結合磁界Hexが温度により変化し難く、かつ、MR比が大きい磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】 磁化の向きが固定された固着層15と、磁化の向きが外部磁界に応じて変化する自由層19と、前記固着層15及び前記自由層19との間に挟まれる中間層16とを含んでなる磁気抵抗素子において、前記固着層は軟質磁性の磁性膜14と同磁性膜の磁化を固定する硬質磁性の強磁性膜12とからなり、前記軟質磁性の磁性膜と前記硬質磁性の強磁性膜との間の強磁性的相互作用を抑制する非磁性金属層13を同軟質磁性の磁性膜と同硬質磁性の強磁性膜との間に介在させた。

請求項（抜粋）：

磁化の向きが固定された固着層と、磁化の向きが外部磁界に応じて変化する自由層と、前記固着層及び前記自由層との間に挟まれる中間層とを含んでなる磁気抵抗素子において、前記固着層は軟質磁性の磁性膜と同磁性膜の磁化を固定する硬質磁性の強磁性膜とを含むとともに、前記軟質磁性の磁性膜と前記硬質磁性の強磁性膜との間の強磁性的相互作用を失わない程度の厚さを有する非磁性金属層を同軟質磁性の磁性膜と同硬質磁性の強磁性膜との間に介在させたことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30

Fターム (11件)：

5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB18