特許

J-GLOBAL ID：200903003940302697

半導体装置

発明者： ピオトロ メンスズ
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151155
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058417
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置、特にII-VI 半導体材料、例えばZnSe系層を有する半導体ダイオードレーザを提供する。【構成】 本発明の半導体装置(10)は、ZnSe層のような半導体層(30)と金層のような金属層34との間に、第1導電型の追加の半導体層(16)を有し、この層(16)はBeTeを含有し、かつ金属層(34)から半導体層(30)に向う方向にBeTeから半導体層(30)のII-VI材料にゆるやかに変化するグレイテッド組成を有する。このグレイテッド組成は、薄いBeTe層と薄いZnSeのようなII-VI材料の層とを交互に積み重ることによって得るのが好ましい。【効果】 本発明装置は半導体層(30)と金属層(34)との間に極めて良好なオーム接点を有し、従って極めて低い接触抵抗を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板およびその上に設けられた半導体層構造を有する半導体本体を具え、前記半導体層構造は第1導電型であり、AIIBVI半導体材料を含有する半導体層を有する半導体装置であって、該半導体装置に対して接点を形成する金属層が前記半導体層構造の上に設けられている半導体装置において、前記半導体装置は、前記半導体層と前記金属層との間に、第1導電型の追加の半導体層を有し、該追加の半導体層はBeTeを含有し、かつ前記金属層から前記半導体層に向かう方向にBeTeから前記半導体層のAIIBVI半導体材料にゆるやかに変化するグレイテッド組成を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00