特許

J-GLOBAL ID：200903003943138294

半導体発光装置、半導体発光装置アレイ、フォトセンサおよびフォトセンサアレイ

発明者： 柳ヶ瀬 雅司 ,  小西 康弘 ,  今本 浩史 ,  高岡 元章 ,  山 義和
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101894
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294831
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【目的】 高輝度で高出力の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板42の上にLEDチップ45を実装する。ガラス基板42の上に、LEDチップ45を囲むようにして構造物47を設ける。構造物47は2枚の半導体基板48、49によって形成されており、空洞50の内面にはAu等の反射膜54を設ける。構造物47の上面には、小さな光出射口53を設ける。LEDチップ45から出た光は、反射膜54で反射することにより空洞50内に閉じ込められた後、光出射口53から出射する。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子を実装された基板とこの半導体発光素子を取り囲むように形成された構造物とを備え、前記構造物の内面には前記半導体発光素子の光を反射させるための加工が施され、かつ前記構造物の一部に光を取り出すための領域が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/12

FI (2件)：

H01L 33/00 F ,  H01L 31/12 E

Fターム (29件)：

5F041AA04 ,  5F041AA06 ,  5F041AA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA91 ,  5F041CB01 ,  5F041CB27 ,  5F041CB32 ,  5F041DA07 ,  5F041DA14 ,  5F041DA41 ,  5F041DA57 ,  5F041EE01 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11 ,  5F089AC07 ,  5F089AC08 ,  5F089AC11 ,  5F089AC13 ,  5F089BB04 ,  5F089BC02 ,  5F089BC05 ,  5F089BC09 ,  5F089BC11 ,  5F089CA17 ,  5F089DA05