半導体圧力センサ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340714
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】外部圧力に対する感度を向上した半導体圧力センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイアフラム部5が厚み方向に撓み自在に設けられた半導体基板1を備え、応力に応じて抵抗値が変化する拡散ゲージ抵抗2をダイアフラム部5の裏面側に形成する。ダイアフラム部5の撓みによって拡散ゲージ抵抗2に加わる応力を、従来例と比べて大きくすることができ、外部の圧力に対する感度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

裏面側に凹所を形成することで薄肉のダイアフラム部が撓み自在に設けられた半導体基板と、ダイアフラム部が撓むことで応力が加えられ、前記応力に応じて抵抗値が変化する抵抗体とを備えて、外部の圧力により生じるダイアフラム部の撓みから前記圧力を検出する半導体圧力センサであって、前記抵抗体をダイアフラム部の裏面側に形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (19件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055FF43 , 2F055GG01 , 2F055GG16 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA13 , 4M112DA04 , 4M112DA12 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112FA01

前のページに戻る