特許

J-GLOBAL ID：200903003947381487

回路基板製造法

発明者： 大谷 博之 ,  有末 一夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221729
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079075
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 半硬化樹脂の穴に、金属粒子と樹脂を混合した混合材を充填してそれらの上下面に銅箔をはりつけて多層の回路基板を構成する製造方法において、銅箔と金属粒子、金属粒子と金属粒子の接触を樹脂の接着力で保持するという不安定な導通方法の課題を解決し、安価に、かつ高い信頼性を有する方法で実現できる回路基板の製造法を提供する。【構成】 半硬化樹脂の穴に金属粒子と樹脂の混合材を充填、上下面に銅箔を設置、圧縮して、銅箔、金属粒子が互いに接触し、銅箔間に導通ができた時点に、電流、または、超音波振動を加えることにより熱を発生させ、その熱により銅箔、金属粒子を溶着して、互いの結合をはかるとともに、従来もっている樹脂の接着力と併せて各々の結合力の向上をはかる。

請求項（抜粋）：

半硬化樹脂基材に穴を開けその穴に導体ペーストを埋め、半硬化基材の上下面に銅箔を張り付けて、導体ペースト中の金属粒子と銅箔、金属粒子間とが接触するまで圧縮し、上下面の銅箔間を電気的に接続して導通部を形成する回路基板製造法において、圧縮後、上下面の銅箔に電流、または、超音波振動を加え、銅箔と金属粒子、各金属粒子間を溶着することを特徴とする回路基板製造法。

IPC (2件)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭54-038562
  
• 特開平1-194385
  
• 特公昭45-019269
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-038562
  
• 特開平1-194385
  
• 特公昭45-019269