特許

J-GLOBAL ID：200903003947675413

半導体装置とその製造方法

発明者： 服部 佳晋 ,  桑原 誠
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-367716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200441
出願日： 2002年12月19日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】トレンチを形成する際のマスクずれが生じてもオン抵抗が増加しにくくする。オン抵抗を低減する。耐圧特性を安定化する。寄生トランジスタをオンさせにくくする。【解決手段】半導体装置は、トレンチ33が形成された半導体部21と、トレンチ33の壁面に沿って形成されたゲート絶縁膜34と、トレンチ33内に形成されたゲート電極36を備えている。半導体部21のp型ボディ領域30は、ゲート電極36に隣合う領域を有する。p型コラム領域24とn型コラム領域26は、平面視したときにゲート電極36の奥行方向に対して直交方向に伸びているとともにp型ボディ領域30に接している。p型コラム領域24とn型コラム領域26は接している。n型領域28は、ゲート電極36の底面とp型コラム領域24の頂面の間に形成された領域を有する。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

トレンチが形成された半導体部と、トレンチの壁面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、トレンチ内に形成されたゲート電極を備え、 半導体部は、第1導電型のボディ領域と、第1導電型の第1領域と、第2導電型の第2領域と、第2導電型の第3領域を有し、 ボディ領域は、ゲート電極にゲート絶縁膜を介して隣合う領域を有し、 第1領域は、平面視したときにゲート電極の奥行方向に対して非平行方向に伸びているとともにボディ領域に接しており、 第2領域は、平面視したときにゲート電極の奥行方向に対して非平行方向に伸びているとともに第1領域と隣合っており、 第3領域は、ゲート電極と第1領域の間に形成されている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (8件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658L ,  H01L29/78 658Z