高周波デバイス及び高周波装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095966
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204102
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】特性に優れたフィルタを実現することができるとともに、スカート特性やリップル特性の変動なしにフィルタの通過周波数を精度よく容易に調整することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】基板11上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子12からなるフィルタ素子と、超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板16と、誘電体板の上方に配置された圧電部17と、誘電体板と圧電部とを接続し、圧電部の変位に応じて移動可能な接続部材23とを備え、圧電部の変位により接続部材を介して誘電体板を移動させることで、誘電体板の基板との対向面と超伝導体膜が形成された基板表面との間隔が調整可能となるように構成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前記超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板の上方に配置された圧電部と、前記誘電体板と前記圧電部とを接続し、前記圧電部の変位に応じて移動可能な接続部材とを備え、前記圧電部の変位により前記接続部材を介して前記誘電体板を移動させることで、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記超伝導体膜が形成された基板表面との間隔が調整可能となるように構成されたことを特徴とする高周波デバイス。

IPC (3件)：

H01P 1/203 ZAA , H01L 41/09 , H01P 7/08 ZAA

FI (4件)：

H01P 1/203 ZAA , H01P 7/08 ZAA , H01L 41/08 U , H01L 41/08 C

Fターム (14件)：

5J006HB03 , 5J006HB12 , 5J006JA01 , 5J006LA11 , 5J006MA01 , 5J006MA13 , 5J006MB02 , 5J006MB03 , 5J006NA08 , 5J006NB10 , 5J006NE03 , 5J006NE11 , 5J006PA03 , 5J006PA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-368006
特開平4-355804

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