特許

J-GLOBAL ID：200903003956055126

基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法

発明者： 長谷川 勝哉 ,  和泉 輝郎 ,  塩原 融 ,  菅原 義弘 ,  平山 司 ,  大場 史康 ,  幾原 雄一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318477
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149378
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法において、より適切な中間層材料の選択を可能にして、より良質の薄膜を形成し得る方法を提供する。【解決手段】基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法において、その基材と中間層との界面Aの界面エネルギEaおよび中間層と薄膜との界面Bの界面エネルギEbを算出し、中間層が存在しない状態における基材と薄膜との界面Cの界面エネルギEcを算出し、そしてEa<EcかつEb<Ecの条件を満たす中間層材料を選択することを特徴としている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法において、 前記基材と前記中間層との界面Aの界面エネルギーEaおよび前記中間層と前記薄膜との界面Bの界面エネルギーEbを算出し、 前記中間層が存在しない状態における前記基材と前記薄膜との界面Cの界面エネルギーEcを算出し、そして Ea<EcかつEb<Ecの条件を満たす中間層材料を選択することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C30B29/22 ,  H01L39/24

FI (2件)：

C30B29/22 501Z ,  H01L39/24 B

Fターム (9件)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077EF03 ,  4G077HA08 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA14 ,  4M113CA34 ,  4M113CA44

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶性薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-268776   出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• レーザ蒸着法によるSmBa2Cu3Oy膜の作製とその面内配向性向上