特許
J-GLOBAL ID：200903003959411527
半導体ウエーハの段のある表面にドープされたポリシリコン層を形成する製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168056
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062904
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 ドープされたポリシリコンは段部においては一様に蒸着することが困難である。半導体ウェーハの段のある表面に、ドープされていないポリシリコン層の蒸着特性を有しまた輪郭を形成しているドープされたポリシリコン層を形成する蒸着法であり、これによって一様に蒸着される。【構成】 この製法は、(a)ドープされたポリシリコンを段のある表面に蒸着し、(b)ドープされていないポリシリコンをドープされたポリシリコンの全面に蒸着し、ポリシリコンの所望の量が蒸着されるまで、ドープされたポリシリコンとドープされていないポリシリコンとを周期的に反復し、次に、(c)蒸着されたポリシリコンをアニールして、蒸着されたポリシリコンの全体にドープ剤を均一に分布させることにより成る。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの段のある表面にドープされたポリシリコン層を形成する製法において、(a) ドープされたポリシリコンを前記の段のある表面に蒸着し、(b) ドープされていないポリシリコンを前記のドープされたポリシリコンの全面に蒸着し、(c) ドープ剤を前記の蒸着されたポリシリコン層の全体に均一に分布するため、前記の蒸着されたポリシリコンをアニールするステップより成ることを特徴とする製法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/225
