特許
J-GLOBAL ID：200903003962457317

MOSFET

発明者：
圓井 幹将

圓井 幹将 について

, 
吉村 充弘

吉村 充弘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094973
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303948
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】実動作領域の周囲に設けられたガードリング上に電極が設けられていない部分では、ガードリング近傍で電荷の集中が起こりパターンが不均一になる。【解決手段】多数のMOSトランジスタのセル6を配列した実動作領域5と、実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域18と接続されたソース電極7と、該ソース電極と接続したソースパッド電極と、前記MOSトランジスタの各セルのゲート電極16と接続したゲートパッド電極1と、ソース領域18の周囲に設けられたガードリング22とよりなり、前記ガードリングのゲート電極が覆われていない部分にソース電極を拡張して覆われるようする。【選択図】 図1
請求項１：
多数のMOSトランジスタのセルを配列した実動作領域と、 前記実動作領域上に設けられ前記MOSトランジスタの各セルのソース領域と接続されたソース電極と、 前記ソース電極と接続したソースパッド電極と、 実動作領域の周囲に設けられたガードリングと、 前記ガードリング上を部分的に覆うように設けられ、MOSトランジスタの各セルのゲート電極とゲートパッド電極とを接続するゲート連結電極よりなり、 前記ソース電極を拡張して前記ガードリング上のゲート電極が覆われていない部分を前記ソース電極で覆われるようにしたことを特徴とするMOSFET。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (4件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 652S
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211625   出願人：株式会社デンソー
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-330442   出願人：新電元工業株式会社
  • 特開平1-248564
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審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211625   出願人：株式会社デンソー
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-330442   出願人：新電元工業株式会社
  • 特開平1-248564
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