多結晶シリコン薄膜およびその形成法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曽々木太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312800
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140327
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】形成できる基板の種類に特に制限はなく、しかも安価な基板上に形成できる大粒径の多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】本発明の多結晶シリコン薄膜3は微結晶シリコンの核2が形成されてなる基板1上に形成されてなるものであり、本発明の多結晶シリコン薄膜3の形成法は、基板1上に微結晶シリコンの核2を生成させたのち、多結晶シリコン薄膜3を形成するものである。

請求項（抜粋）：

微結晶シリコンの核が形成されてなる基板上に成膜されてなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-260621
特開平1-248511
特開平1-276616

前のページに戻る