特許
J-GLOBAL ID：200903003966842495
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253412
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270028
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】高い微分効率を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を得る。【解決手段】それぞれが5nmの膜厚を有する2つのInGaNウエル層を有する2重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、光閉じ込め係数Γは3.0%以下の領域では、しきい値電流の劣化は比較的小さく、微分効率は大幅に改善(上昇)するという特性を有している。一方、光閉じ込め係数Γが1.5%より小さくなくと、しきい値電流が大幅に増大する一方、微分効率の改善量も小さくなることがわかる。したがって、光閉じ込め係数Γの下限としては、1.5%程度が好ましく、光閉じ込め係数Γを3.0%以下にすると、微分効率は1.6W/A以上得られ、光閉じ込め係数Γを2.6%以下にすることにより、1.7W/A以上の微分効率が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
少なくとも2つのウエル層を含む多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
前記少なくとも2つのウエル層は少なくとも2つのInGaNウエル層を含み、発光時における素子の全導波光のうち、前記少なくとも2つのInGaNウエル層にある光の割合を示す光閉じ込め係数(%)を1.5以上、3.0以下に設定したことを特徴とする、
半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F173AA08
, 5F173AF03
, 5F173AF35
, 5F173AG12
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP76
, 5F173AP82
, 5F173AQ04
, 5F173AR23
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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引用文献：
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