特許

J-GLOBAL ID：200903003968711010

真空処理装置

発明者： 志村 敏克
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063443
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260469
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 真空容器内に配置され、処理時と待機時との温度差が生じ得る部材からの付着物の剥離を防止し、パーティクルの発生を抑制することができる真空処理装置を提供する。【解決手段】 真空排気可能な処理容器と、処理容器内に配置され、処理対象基板を保持し、処理容器内で処理位置と待機位置との間を移動可能な基板保持台と、処理容器内に配置された基板押さえ手段であって、基板保持台が処理位置にあるとき、基板保持台に保持された処理対象基板の表面の一部の領域に接触して該処理対象基板を基板保持台に押しつけ、基板保持台が待機位置にあるとき、処理対象基板から離れる基板押さえ手段と、基板保持台が待機位置にあるときに、基板押さえ手段を基板保持台から離れた位置に保持する基板押さえ保持手段と、基板押さえ保持手段を加熱するための加熱手段とを有する。

請求項（抜粋）：

真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置された加熱部材と、前記加熱部材に取り付けられ、該加熱部材を目標温度まで加熱する加熱手段と、前記処理容器内に配置された被加熱部材と、前記加熱部材と被加熱部材との間に配置され、前記目標温度よりも高い融点を有し、両者を熱的に接続する低融点金属とを有する真空処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/50 E ,  H01L 21/203 S