特許

J-GLOBAL ID：200903003975222351

半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法

発明者： 片岡 真 ,  成松 治 ,  平井 健太郎 ,  武内 洋子
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332005
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193032
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハ裏面を研削している間は強い粘着力を有し、紫外線照射により粘着力が低下し、且つ、半導体ウエハ表面を汚染することのない半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの製造方法を提供する。【構成】 光透過性の基材フィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤を塗布、乾燥する半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法であって、該紫外線硬化型粘着剤が、分子中に光重合性炭素-炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体100重量部、分子内に光重合性炭素-炭素二重結合を2個以上有する低分子量化合物0.1〜20重量部および光開始剤5〜15重量部を含むことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。

請求項（抜粋）：

光透過性の基材フィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤を塗布、乾燥する半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法であって、該紫外線硬化型粘着剤が、分子中に光重合性炭素-炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体100重量部、分子内に光重合性炭素-炭素二重結合を2個以上有する低分子量化合物0.1〜20重量部および光開始剤5〜15重量部を含むことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 321 ,  B32B 27/00 ,  B32B 27/18 ,  B32B 27/28 101 ,  C09J 7/02 JJU ,  C09J 7/02 JLF ,  C08J 5/14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-101677