特許

J-GLOBAL ID：200903003978670576

半導体の加工方法

発明者： 日▲高▼ 啓▲視▼
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206088
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【構成】 本発明の半導体の加工方法は、反応性ガスを用いて半導体19の表面をエッチングすることにより、半導体19に所定の形状を付与する半導体の加工方法において、半導体19のエッチングすべき面19aを前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッチングすることを特徴とする。【効果】 前記半導体のエッチングすべき面に凹凸があった場合においても、当該凸部の温度を赤外放射により上昇させることができ、エッチングすべき面を平坦化することができる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを用いて半導体の表面をエッチングすることにより、該半導体に所定の形状を付与する半導体の加工方法において、前記半導体のエッチングすべき面を前記反応性ガスに吸収されない赤外線により加熱しつつエッチングすることを特徴とする半導体の加工方法。