特許

J-GLOBAL ID：200903003979162400

イオン源絞り

発明者： 加賀 広靖 ,  鈴木 渡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084689
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266782
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】絞りの開口径と長さのアスペクト比が5以上になると、使用時間が増えるにつれ開口穴が塞がりが生じだし、所望の最大ビーム電流が得られなくなった。【解決手段】絞り穴の形状がビーム下流になるほど拡くなる逆テーパ状に、または、ビーム下流になるほど階段状に拡くした。【効果】Ga液体金属イオン源(LMIS) のイオン放射を安定にする技術、および、大電流、高ビーム電流密度のイオン装置に好適な技術を成すことができた。

請求項（抜粋）：

イオン照射でスパッタを受けるイオン源絞りにおいて、絞り穴の形状がビーム下流になるほど拡くなる逆テーパ状であることを、または、逆テーパの角度が穴軸に対し約7度であることを特徴とするイオン源絞り。

IPC (2件)：

H01J 37/09 ,  H01J 27/26

FI (2件)：

H01J 37/09 A ,  H01J 27/26

Fターム (4件)：

5C030DF04 ,  5C030DF10 ,  5C033BB01 ,  5C033BB09