特許

J-GLOBAL ID：200903003980424442

熱電半導体材料の製造方法

発明者： 今泉 久朗 ,  谷村 利伸 ,  山口 博明 ,  福田 克史
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285264
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121063
出願日： 1989年06月14日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【目的】 ド-ピング制御が容易で製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供する。【解決手段】 本発明の第1の方法では、所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレン、および一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめる加熱工程と、凝固点直下迄急冷して固溶体を形成する冷却工程と、該インゴットを粉砕し、固溶体粉末を形成する粉砕工程と、前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工程と、粒径の均一となった前記固溶体粉末を焼結せしめる焼結工程とを含み、5μm以下の微粒子を含むことなく、粒径が均一なテルル化ビスマスおよびテルル化アンチモンの固溶体粉末を主成分とした一導電型の粉末焼結体を形成するようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレン、および一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめる加熱工程と、凝固点直下迄急冷して固溶体を形成する冷却工程と、前記インゴットを粉砕し、固溶体粉末を形成する粉砕工程と、前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工程と、粒径の均一となった前記固溶体粉末を焼結せしめる焼結工程とを含み、5μm以下の微粒子を含むことなく、 粒径が均一なテルル化ビスマスおよびテルル化アンチモンの固溶体粉末を主成分とした一導電型の粉末焼結体を形成するようにしたことを特徴とする熱電半導体材料の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/16 ,  C22C 1/04 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/16 ,  C22C 1/04 E ,  H01L 35/34