基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162802
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359237
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】プロセスチューブを容易に着脱できるバッチ式CVD装置の提供。【解決手段】複数枚のウエハWをボート26で支持した状態で処理するプロセスチューブ14と、ボート26を処理の前後で収容してプロセスチューブ14に対し搬入搬出するロードロックチャンバ4と、ボート26を昇降させるボートエレベータ18とを備え、プロセスチューブ14はロードロックチャンバ4に載置されてボートエレベータ18で昇降され、ボート26はボートエレベータ18の昇降板22に立脚された支柱23にシールキャップ25を介して支持され、支柱23の外側にはロードロックチャンバ4の支柱挿通口12を気密封止するベローズ27がロードロックチャンバ4と昇降板22との間に取り付けられている。【効果】ロードロックチャンバと共にプロセスチューブを下降できるため、プロセスチューブを容易に着脱してメンテナンスできる。

請求項（抜粋）：

複数枚の基板をボートによって支持した状態で処理するプロセスチューブと、前記ボートを前記処理の前後に収容して前記プロセスチューブに対し搬入搬出するロードロックチャンバとを備えており、前記ロードロックチャンバは前記プロセスチューブを載置した状態で昇降可能に構成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/22 511 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/31 E , H01L 21/31 B , C23C 16/44 F , H01L 21/22 511 Q , H01L 21/68 N

Fターム (33件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030GA13 , 4K030KA04 , 4K030KA05 , 4K030KA28 , 5F031CA02 , 5F031DA08 , 5F031EA14 , 5F031FA01 , 5F031FA09 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031GA03 , 5F031GA47 , 5F031GA49 , 5F031HA67 , 5F031LA12 , 5F031LA13 , 5F031MA13 , 5F031MA28 , 5F031NA05 , 5F031NA07 , 5F031PA24 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045BB10 , 5F045BB14 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB02 , 5F045EB06

前のページに戻る