特許
J-GLOBAL ID：200903003989201365
伝導度変調型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-238931
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069509
出願日： 1992年08月15日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 オン電圧とタ-ンオフ時間のトレ-ドオフを改善でき安定した素子特性が得られる新規なアノ-ド構造を有する高耐圧の伝導変調型半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 N型シリコン半導体基板1をドレイン領域12とし、その表面にアノ-ド領域11を気相成長させる。さらにこのアノ-ド領域11に高濃度の多結晶シリコンからなるP+アノ-ド領域21を形成する。アノ-ド電極19は、この領域21上に形成される。ドレイン領域でのキャリアライフタイムが長くてもキャリアの注入量を少なく抑えることができる。またアノ-ド領域とアノ-ド電極とのコンタクトを良好にすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板に形成された第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成され、前記半導体基板の第1の主面に露出している第2導電型のベ-ス領域と、前記ベ-ス領域内に形成され、前記半導体基板の前記第1の主面に露出している第1導電型のソ-ス領域と、前記半導体基板の前記第1の主面上に前記ソ-ス領域と前記ドレイン領域に跨がり、前記ベ-ス領域上に形成されたゲ-ト絶縁膜と、前記ゲ-ト絶縁膜の上に形成されたゲ-トと、前記ソ-ス領域及び前記ベ-ス領域上に跨がって形成され、このソ-ス領域とベ-ス領域とを短絡するソ-ス電極と、前記半導体基板の第2の主面上に形成され、前記ドレイン領域と接している第2導電型の低不純物濃度アノ-ド領域と、前記低不純物濃度アノ-ド領域上に形成された多結晶シリコンからなる第2導電型の高不純物濃度アノ-ド領域と、前記高不純物濃度アノ-ド領域上に形成されたアノ-ド電極とを備えていることを特徴とする伝導度変調型半導体装置。
引用特許：
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