特許
J-GLOBAL ID：200903003995067670
半導体製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326030
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 膜推積と水素プラズマ処理の条件を最適化し、膜質の向上を図ることができる半導体製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 基板上にアモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程とこのアモルファスシリコンアロイ膜にプラズマ処理を施す工程とを交互に繰り返しながら堆積を行うに当り、推積時とプラズマ処理時のプロセス条件を独立に制御するようにした半導体の製造方法及び製造装置。
請求項（抜粋）：
基板上に水素化アモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程と、該水素化アモルファスシリコンアロイ膜に原子状水素を曝露する工程とを交互に繰り返しながら膜堆積を行う半導体の製造方法において、膜を堆積する工程でのプロセス条件とプラズマ処理を施す工程でのプロセス条件を独立に制御することを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (2件)：
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