特許
J-GLOBAL ID：200903003999573694
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200154
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 同一基板上に発光部と受光部を容易に集積化することができ、且つ発光効率の向上及び受光感度の向上をはかる。【解決手段】 同一基板上に発光部と受光部を形成してなる光半導体素子であって、発光部Aは、サファイア基板10上にn-AlGaNクラッド層12,GaInN活性層13,p-AlGaNクラッド層14,p-GaNコンタクト層15を積層してなり、且つ円柱形状に形成され、受光部Bは、発光部Aと同一の積層構造で、発光部Aを取り囲むようにリング状に形成され、基板10の裏面側にプラスチックファイバを挿入するための凹部が設けられている。
請求項（抜粋）：
同一基板上に発光部と受光部を形成してなり、前記発光部及び受光部はIII-V族化合物半導体を用いた同一の積層構造に形成され、且つ発光部及び受光部の少なくとも活性層は、窒素をV族元素として含むIII-V族化合物半導体で形成されていることを特徴とする光半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 31/12
, H01L 31/0232
, H01L 33/00
H01L 31/12 G
, H01L 33/00 M
, H01L 33/00 C
, H01L 31/02 C
