特許
J-GLOBAL ID：200903004000660265

高温で水素を検出可能な半導体ダイオード

発明者：
劉 文 超

劉 文 超 について

, 
陳 慧 英

陳 慧 英 について

, 
林 坤 緯

林 坤 緯 について


出願人/特許権者：
國立成功大學

國立成功大學 について


代理人 (5件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205501
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】先行技術に比べて応答時間を犠牲にせずにかつ/または感度をあまり低減させずに、作動温度の範囲を広げる。【解決手段】水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式:XYZ(式中、XはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である)を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させることができる金属からなる。【選択図】図1
請求項１：
半導体基板と、 前記基板上に形成された、式:XYZ(式中、XはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である)を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、 前記活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、 ショットキーバリアを提供するように前記活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、 を備え、 前記ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させ得る金属からなる、水素を検出可能な半導体ダイオード。
IPC (2件)：
G01N27/12 ,  G01N27/00
FI (3件)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/00 J
Fターム (26件)：
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FB00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE13 ,  2G046FE15 ,  2G046FE16 ,  2G046FE25 ,  2G046FE27 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE34 ,  2G046FE35 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AE19 ,  2G060BA07 ,  2G060DA03
引用特許：
審査官引用 (15件)
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