特許
J-GLOBAL ID：200903004002726638
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058332
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 慣例のIGBTより低いオン抵抗値を示すとともに絶縁ゲート構造によりターンオフ制御しうる絶縁ゲート電界効果装置を提供することにある。【構成】 本発明絶縁ゲート電界効果装置は一導電型の第1領域3、反対導電型の第2領域4、一導電型の第3領域及び第1領域内に反対導電型の電荷キャリアを注入する少なくとも一つの注入領域8を具える。絶縁ゲート9、10に隣接する導通チャネル領域40が第1及び第2補助導通チャネルを発生する第1及び第2補助領域40a,40bを有する。第2補助領域は第3領域から第1補助領域により分離され、且つ第1補助領域より低ドープであり、注入反対導電型キャリア電流が所定値に達する際に第2補助導通チャネルと第2領域との間のpn接合40b′が順方向バイアスになり、第2補助導通チャネル、第2領域及び第1領域からなるバイポーラトランジスタが導通し、導通チャネルの除去時に停止するサイリスタ動作が注入領域により開始する。
請求項（抜粋）：
一導電型の第1領域、第1領域と第1pn接合を形成する反対導電型の第2領域、第1領域から第2領域により分離され第2領域と第2pn接合を形成する一導電型の第3領域、反対導電型の電荷キャリアを第1領域内に注入する少なくとも一つの注入領域、絶縁ゲート、及び第2領域内に絶縁ゲートに隣接して延在する導通チャネル領域を具え、該導通チャネル領域を絶縁ゲートにより、第1及び第3領域間に一導電型の電荷キャリアを流す一導電型の導通チャネルを発生する第1状態と、この導通チャネルが除去される第2状態との間でゲート制御することができ、第1、第2及び第3領域からなるトランジスタ及び注入領域、第1及び第2領域からなるトランジスタによるサイリスタ動作の開始が禁止されるように構成された絶縁ゲート電界効果装置を具えた半導体装置において、前記導通チャネル領域はこの導通チャネル領域の第1状態において第1及び第2の補助導通チャネルを発生する第1及び第2の補助導通チャネル領域を具え、この第2補助導通チャネル領域は第3領域から第1補助導通チャネル領域により分離され且つ第1補助導通チャネル領域より低ドープであり、装置の動作時に前記少なくとも一つの注入領域による反対導電型の電荷キャリアの注入により生ずる電流が所定値に達する際に第2補助導通チャネルと第2領域との間のpn接合が順方向バイアスになり、第2補助導通チャネルと第2領域と第1領域とからなるバイポーラトランジスタが導通し、導通チャネルの除去時に停止するサイリスタ動作が前記少なくとも一つの注入領域により開始されるように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/74 N
, H01L 29/78 321 V
