膜形成材料、膜形成方法、及び素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宇高克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141007
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328130
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】次世代トランジスタに十分に使用可能なシリサイト膜をCVDで作成できる技術を提供する。【解決手段】 Co及びNiの群の中から選ばれる一つ又は二つの金属元素、及びSiが用いられて構成されてなるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、前記金属元素の原料として下記一般式I及び一般式IIの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられ(但し、MはCo又はNi、nは2又は3、R1,R2,R3はH又はアルキル基である。)(但し、MはCo又はNi、R1,R2,R3,R4,R5はH又はSiの原料として,SiH4,Me3SiH,Et3SiH等から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられる。アルキル基である。)

請求項（抜粋）：

Co及びNiの群の中から選ばれる一つ又は二つの金属元素、及びSiが用いられて構成されてなるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、前記金属元素の原料として下記一般式[I]及び一般式[II]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が用いられてなることを特徴とする膜形成材料。一般式[I](但し、MはCo又はNi、nは2又は3、R1,R2,R3はH又はアルキル基である。R1,R2,R3は同一でも異なっていても良い。)一般式[II](但し、MはCo又はNi、R1,R2,R3,R4,R5はH又はアルキル基である。R1,R2,R3,R4,R5は同一でも異なっていても良い。)

IPC (8件)：

C23C 16/18 , C01B 33/06 , C07C 49/92 , C07F 7/08 , C07F 15/04 , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C23C 16/42

FI (8件)：

C23C 16/18 , C01B 33/06 , C07C 49/92 , C07F 7/08 B , C07F 15/04 , C07F 15/06 , C07F 17/00 , C23C 16/42

Fターム (43件)：

4G072AA20 , 4G072BB09 , 4G072HH03 , 4G072HH28 , 4G072JJ01 , 4G072JJ11 , 4G072JJ45 , 4G072LL01 , 4G072LL06 , 4G072NN13 , 4G072RR01 , 4G072RR25 , 4G072RR26 , 4G072UU01 , 4H006AA03 , 4H006AB78 , 4H006AB91 , 4H049VN01 , 4H049VQ01 , 4H049VR11 , 4H049VR12 , 4H049VR13 , 4H049VR21 , 4H049VR22 , 4H049VR23 , 4H049VU24 , 4H050AA03 , 4H050AB78 , 4H050AB91 , 4H050WB11 , 4H050WB13 , 4H050WB21 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030AA24 , 4K030BA05 , 4K030BA14 , 4K030BA48 , 4K030FA10 , 4K030LA01 , 4K030LA15

引用特許：

審査官引用 (14件)

結晶性半導体作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-112394 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-213703 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183880 出願人：株式会社東芝

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