特許
J-GLOBAL ID:200903004013530492

荷電粒子ビームによる断面解析システムおよびその方法並びに荷電粒子ビーム処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-026893
公開番号(公開出願番号):特開平9-223726
出願日: 1996年02月14日
公開日(公表日): 1997年08月26日
要約:
【要約】【課題】本課題は、LSI等の微細な電子デバイスの断面構造を荷電ビームを用いて観察する際、これを自動化することにより、作業性、信頼性を向上させることにある。【解決手段】本発明は、検査結果(電気的特性、異物サイズ、その位置)とデータベース(設計データベース、加工形状データベース、加工特性データベース)とに基づいて不良解析ツール3、加工形状決定手段4、三次元形状CAD6および走査条件決定手段9により荷電ビームによる断面加工条件を自動で決定し、加工を行った後、断面観察において自動で位置決めを行い、焦点合わせ、非点補正等の荷電ビームの自動調整を行い、さらに取得した断面画像データを自動で最適化して表示手段(モニタ)に表示して断面観察を行う。
請求項(抜粋):
不良情報を取得するための不良情報取得手段と、該不良情報取得手段で取得された不良情報に基づいて不良箇所の特定と不良状況の推定を行う不良解析手段と、該不良解析手段によって特定された不良箇所座標と該不良状況の推定結果とに基づいて断面加工形状を決定する加工形状決定手段と、該加工形状決定手段から決定される断面加工形状に対して設計データを参照して材質及び層構造データを求める3次元形状CAD手段と、該3次元形状CAD手段から得られる材質に対応したスパッタ率を算出する加工特性データベース作成手段と、荷電ビームの走査領域と加工後の形状との対応関係を示す加工形状データベースと前記加工特性データベース作成手段から算出されるスパッタ率と前記3次元形状CADから得られる層構造と前記加工形状決定手段から決定される断面加工形状とに基づいて荷電ビームの走査領域及びドーズ量を決定する走査条件決定手段と、該走査条件決定手段によって決定された走査領域及びドーズ量に基づいて断面加工を行う荷電粒子ビーム加工装置とからなることを特徴とする荷電粒子ビームによる断面解析システム。
IPC (5件):
H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/304 ,  H01L 21/3065
FI (7件):
H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 N ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 Z ,  H01J 37/304 ,  H01L 21/302 D

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