特許

J-GLOBAL ID：200903004013956996

比誘電率の低いナノ多孔性コポリマ-膜

発明者： ロバート ピー. マンダル ,  デイヴィッド ツェン ,  ピーター ワイ-マン リー ,  チ-イ ラン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200784
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に比誘電率の低いコポリマー薄層を形成する方法及び装置。【解決手段】環状p-キシリレン二量体、p-キシレン、1,4-ビス(ホルマトメチル)ベンゼン、又は1,4-ビス(N-メチルアミノメチル)ベンゼンのような固体又は液体前駆材料からp-キシリレン、又はその誘導体のインシチュウ形成が含まれる。p-キシリレンを、コポリマー層が基板上に堆積した後に分散した気泡へ変換される不安定基を有するコモノマーと共重合する。好ましいコモノマーは、ジアゾシクロペンタジエニル基、ジアゾキノイル基、ホルミルオキシ基、又はグリオキシロイルオキシ基を含む。

請求項（抜粋）：

低誘電率膜を堆積させる方法であって、p-キシリレン、又はその誘導体、と熱に不安定な基を有するコモノマーを基板表面上で縮合するステップ;その縮合したp-キシリレンとコモノマーをコンホーマルコポリマー層内に不安定基を保持する温度で反応させるステップ; 及び該不安定基を分散した気泡へ変換するのに十分な温度で該コポリマー層を硬化するステップを含む、前記方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/283 P