特許

J-GLOBAL ID：200903004014098080

磁性素子、トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 小金井 昭雄 ,  岡野 一久
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103185
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299727
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 微細化した強磁性層の保磁力を低減させることで、磁化と保磁力を自由に選択可能な磁性素子を実現する。【解決手段】 第2の磁性層102は第1の磁性層よりも保磁力が小さいため磁化が反転しやすい。第2の磁性層102の磁化が反転すると、第2の磁性層102から漏洩する磁界により、第2の磁性層102に接触している第1の磁性層101の磁化が反転しやすくなる。第1の磁性層101が第2の磁性層102から漏洩する磁界で反転しやすくなるので、本発明の磁性素子の保磁力が低くなる。また、本発明の磁性素子を用いたトンネル磁気抵抗効果素子は保磁力が低くなる。

請求項（抜粋）：

強磁性体の保磁力を利用した磁性素子であって、基板上に形成した第1の磁性層と、前記第1の磁性層より磁気異方性が低く、前記第1の磁性層に接触した第2の磁性層とを有する磁性素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (8件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40