特許
J-GLOBAL ID：200903004019424872
III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスク及びそれを用いたIII-V族化合物半導体薄膜選択成長形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097087
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275356
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に、III-V族化合物半導体薄膜を、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを用いて選択成長させて形成させるにつき、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを、半導体基板の表面に損傷を与えることなく形成し、それによってIII-V族化合物半導体薄膜を良好に形成し、また、III-V族化合物半導体薄膜を、側面荒れをほとんど有しないものとして容易に形成する。【構成】 半導体基板上に、III-V族化合物半導体薄膜を、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクを用いて選択成長させて形成されるにつき、III-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスクとして、表面に自然酸化膜が形成されているAlを含むIII-V族化合物半導体薄膜を用いる。
請求項（抜粋）：
表面に自然酸化膜が形成されているAlを含むIII-V族化合物半導体薄膜でなることを特徴とするIII-V族化合物半導体薄膜選択成長形成用マスク。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, G02F 1/025
, H01S 3/18
