特許

J-GLOBAL ID：200903004019693652

ビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成方法

発明者： 荻原 光彦 ,  阿部 仁志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070136
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】 二酸化窒素ガス(NO2 ガス)を用いた分子線エピタキシー法(MBE法)によるビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成において、形成後のアニール処理を必要としない形成法を提供する。【構成】 分子線エピタキシー法(MBE法)により、ビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜の形成において、銅(Cu)の分子線強度に対して、少なくとも100倍以上の分子線強度をもつ二酸化窒素(NO2 )ガスの雰囲気中で薄膜形成を行う。

請求項（抜粋）：

分子線エピタキシー法(MBE法)により、銅(Cu)を含有するビスマス(Bi)系酸化物超電導薄膜を形成するにあたり、銅(Cu)の分子線強度に対して、少なくとも100倍以上の分子線強度をもつ二酸化窒素ガス(NO2 ガス)の雰囲気中で、かつ、前記銅(Cu)を酸化第2銅(CuO)まで酸化させる基板温度で、前記薄膜の成膜を行うことを特徴とする超電導薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA