特許

J-GLOBAL ID：200903004019813569

半導体装置およびその製造方法

発明者： 安田 昌生
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-105725
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311842
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】接続部材を安定して配置搭載することができ、繰返し熱応力に対しても電気的接続安定性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置20は、半導体素子21上に設けられる電極22と、半導体素子21上に相互に独立して設けられる複数の樹脂突起部材24と、樹脂突起部材24を覆い電極22に接続されるように設けられる金属配線25と、金属配線25を介して樹脂突起部材24上に設けられる略球状の導電接続部材26とを備え、樹脂突起部材24には導電接続部材26を臨んで凹所28が形成される。凹所28の形状および寸法は、好ましくは、略円錐台状または略円柱状に形成され、導電接続部材26の直径Dbに対する開口部の直径dhの比(dh/Db)が1/3〜2/3、直径dhに対する深さhの比(h/dh)が、0.2〜0.5である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、半導体素子上に設けられる電極と、半導体素子上に相互に独立して設けられる複数の樹脂突起部材と、樹脂突起部材を覆い電極に接続されるように設けられる金属配線と、金属配線を介して樹脂突起部材上に設けられる略球状の導電接続部材とを備え、導電接続部材と金属配線とが加熱されることによって電気的に接続されて外部接続電極を形成する半導体装置において、 前記樹脂突起部材には、 前記導電接続部材を臨んで凹所が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (1件)：

H01L23/12 501P