特許
J-GLOBAL ID：200903004022597427
電圧レベル変換回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060716
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321638
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 電圧レベル変換回路において、入力信号の電圧源が低電圧であるときや、入力信号の電圧源と電圧レベル変換回路の電圧源との電位差が大きいときにも、出力信号を確定させる。【構成】 Pチャネル型MOSトランジスタQp1602のソースと電圧レベル変換回路の電圧源VPPとの間に、Pチャネル型MOSトランジスタ(早期カットオフ回路)Qp1603が接続される。Pチャネル型MOSトランジスタQp1603のゲートに入力信号I16が入力される。入力信号I16がその電圧源VCCの電位であるとき、ノードN1601は電位(VCC-Vtn)であるので、Pチャネル型MOSトランジスタQp1603はPチャネル型MOSトランジスタQp1602のオフ状態よりも一層オフ状態となり、出力信号O16の電圧レベルを速く“L”レベルに確定できる。
請求項（抜粋）：
入力信号を反転する信号反転回路と、前記入力信号の電位よりも高い電位の電圧源を電源とするレベルシフタとから成り、前記レベルシフタは、同一導電型の第1及び第2のMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタとは反対の導電型の第1及び第2のMOSスイッチ素子と、電荷供給回路とから成り、前記両MOSトランジスタは、ソースが前記電圧源に接続され、前記第1のMOSトランジスタは、ドレインが第2のMOSトランジスタのゲート及び第1のMOSスイッチ素子に接続され、前記第2のMOSトランジスタは、ドレインが前記第1のMOSトランジスタのゲート及び第2のMOSスイッチ素子に接続され、前記第1のMOSスイッチ素子は、接地電位を前記第2のMOSトランジスタのゲートに供給し又はその供給を停止し、前記第2のMOSスイッチ素子は接地され、前記第1及び第2のMOSスイッチ素子のうち何れか一方は前記信号反転回路への入力信号で制御され、他方は前記信号反転回路の出力信号で制御され、前記第2のMOSトランジスタのドレインの電位が前記レベルシフタの出力信号であり、前記電荷供給回路は、前記信号反転回路への入力信号がLレベルからHレベルに遷移する時に前記第2のMOSトランジスタのゲートに電荷を供給することを特徴とする電圧レベル変換回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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