特許
J-GLOBAL ID：200903004023155800
不揮発性半導体メモリおよびそれを使用した半導体ディスク装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029392
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】フラッシュEEPROMのチップ内部で不良記憶領域と予備記憶領域との代替を行えるようにし、そのチップ耐用期間の延長を図る。【構成】メモリセルアレイには、データ領域を構成する256個のブロックと、これら各ブロックと同一サイズの予備ブロックが設けられている。ベリファイ回路122による検証結果に基づいてデータ領域のブロックに不良が発生したことが検出されると、その不良ブロックを指定するアドレスが代替アドレステーブル15に登録される。そして、以降は、その不良ブロックを指定するアドレスが外部から入力されると、そのアドレスと代替アドレステーブル15に登録されている不良ブロックのアドレスとがブロック選択制御回路16によって比較される。この場合、アドレス値が一致されると、不良ブロックと予備ブロックとの代替が行われ、不良ブロックの代わりに予備ブロックが選択されてアクセスされる。
請求項（抜粋）：
所定サイズの記憶容量を有する複数のデータブロックと、前記所定サイズの記憶容量を有する1以上の代替ブロックとを有するメモリセルアレイと、外部から供給される書き込みデータを前記メモリセルアレイの複数のデータブロックに書き込む書き込み手段と、この書込み手段によって前記メモリセルアレイのデータブロックに書き込まれたデータ内容を前記書き込みデータと比較し、その一致の有無に基づいてデータ書き込み動作が正常に実行されたか否かを検証するベリファイ手段と、このベリファイ手段による検証結果に基づいて前記書き込みが行われたデータブロックの不良を検出し、その不良データブロックを指定するアドレスを保持する手段と、この保持された不良データブロックのアドレスと外部からのアドレスを比較し、それらが一致した際に前記不良データブロックの代わりに前記代替ブロックをアクセス対象ブロックとして選択するブロック代替手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 16/06
