特許
J-GLOBAL ID：200903004023656346
スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119283
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045011
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 超高記録密度に対応した完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1および第2の強磁性層からなるフリー層7と、このフリー層7との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層4とを備えるようにした。これにより、フリー層の厚みを低減しても上向きスピンをもった電子と下向きスピンを持った電子との平均自由行程の差を維持することができ、磁気抵抗変化率を増大させることができる。このようなSVMRヘッドは、より高記録密度化された記録媒体からの微弱な信号磁界を感知することが可能である。さらに、縦バイアス層と導電性リードオーバーレイ層とを備えるようにしたので、出力振幅およびセンサ部における検出性能の安定性が得られる。
請求項（抜粋）：
伝導電子を完全反射し、超高記録密度に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法であって、下部基体上に、信号磁界を感知する積層構造のフリー層を備えたセンサ部を形成する第1の工程と、前記センサ部の両側に、縦バイアス層を形成する第2の工程と、前記縦バイアス層を覆って前記センサ部を中央として対称的に延在するように導電性リードオーバーレイ層を形成し、前記センサ部におけるトラック幅に対応する幅を規定する第3工程とを含み、前記第1の工程は、シード層を形成する第4の工程と、このシード層上に、前記フリー層との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材料により緩衝層を形成する第5の工程と、この緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能する前記フリー層を、強磁性材料を積層して形成する第6の工程と、このフリー層上に、非磁性材料を用いて非磁性層を形成する第7の工程と、この非磁性層上に、シンセティック反強磁性被固定層を形成する第8の工程と、このシンセティック反強磁性被固定層上に、固定作用層を形成する第9の工程と、この固定作用層上に、保護層を形成する第10の工程とを含むことを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA11
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA12
, 5E049DB12
