特許

J-GLOBAL ID：200903004025388640

半導体記憶装置

発明者： 小林 裕治 ,  吉田 啓彦 ,  我妻 利光 ,  土屋 恵 ,  野口 由美子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143766
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339469
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 リフレッシュ時間を見かけ上隠すことができ、さらにシステムにおけるバス占有時間を短縮することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 2バンク64MビットSDRAMであって、バンク0、バンク1のメモリアレイバンクと、この各メモリアレイバンクに対応するロウデコーダ、カラムデコーダ、センスアンプ&入出力バス、およびリフレッシュカウンタと、共通のアドレスバッファ、アドレスカウンタ、入力バッファ、出力バッファ、および制御論理&タイミング発生器などから構成され、各メモリアレイバンクに対応するリフレッシュカウンタが設けられ、モードレジスタセットMRSのテストモードにおいてバンクヒドンリフレッシュBHRを選択することで、アクティブコマンドACTで指定された動作バンク0の読み出し動作を行うとともに、指定されない非動作バンク1のリフレッシュ動作を行うことができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリアレイバンクを有する半導体記憶装置であって、外部から入力されるアドレス信号を格納するロウアドレスバッファおよびカラムアドレスバッファと、前記ロウアドレスバッファ、前記カラムアドレスバッファから出力されるアドレス信号によりそれぞれロウアドレス、カラムアドレスを指定して前記複数のメモリアレイバンク内の任意のメモリセルを選択する複数のロウデコーダおよび複数のカラムデコーダと、前記複数のメモリアレイバンクのうち、非動作バンクでリフレッシュ動作を行うためにアドレス信号をカウントする、任意に分割されたメモリアレイバンク毎の複数のリフレッシュカウンタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 363 K ,  G11C 11/34 362 S