特許
J-GLOBAL ID：200903004029734381
巨大磁気抵抗効果によるメモリセルおよび並列型ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039859
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 読み出し時に膜面内に電流を流すようにして大きな抵抗変化を検知できる巨大磁気抵抗効果を利用したメモリセルを提供するとともに読み出し信号の減衰が小さく、高速で記録・消去ができ、消費電力が小さいランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】 低保磁力および高保磁力の磁性層12, 13で非磁性金属層14を挟んだ層構造の磁気抵抗素子11の表裏両面に第1および第2の絶縁層15, 16を形成するとともに層構造の互いに対向する位置において第1および第2の導電層17, 18を接触させ、膜面に沿って電流が流れるメモリセルを構成する。複数のメモリセルを2次元的に配列し、同じ行および列のメモリセルの第1および第2の導電層をそれぞれ共通とし、所定の第1および第2の導電層に同時に電流を流し、その交点のメモリセルに対して記録・消去を行なう。
請求項（抜粋）：
保磁力の異なる磁性層の間に非磁性金属層を挟んだ積層構造を有し、巨大磁気抵抗効果を示す磁気抵抗素子と、その一方の表面をほぼ覆うように形成された第1の絶縁膜と、他方の表面上をほぼ覆うように形成された第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された第1の導電層と、前記第2の絶縁膜の上に形成された第2の導電層とを具え、前記第1および第2の導電層を前記磁気抵抗素子の互いに対向する位置において一方および他方の表面と接触させて磁性層の面内に電流が流れるように構成したことを特徴とする巨大磁気抵抗効果によるメモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
