特許
J-GLOBAL ID：200903004032437223
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039335
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235203
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 形成及び実装の容易な電磁遮蔽層を有する半導体装置を提供する。【構成】 回路用基板5上に実装された半導体装置1の表面全体に、熱硬化性の導電性樹脂6による電磁遮蔽層を形成し、同時に回路用基板5上の半導体装置1周辺に敷設された接地部分7と該電磁遮蔽層とを接触固定して該電磁遮蔽層を電気的に接地している。【効果】 電磁遮蔽層を形成する過程において糊状の導電性樹脂を半導体装置の表面に塗布して硬化させるという手法が採用出来るため、従来に比して電磁遮蔽層を容易に形成することが出来る。又、電磁遮蔽層の厚さを自由に操作することが容易であるので、電磁波に対する遮蔽効果を容易に調整することが出来る。
請求項（抜粋）：
回路用基板に実装された半導体ブロックを封入樹脂内に封入して成る半導体装置において、該半導体装置の表面に、導電性樹脂から成る電磁遮蔽層を形成すると共に、該電磁遮蔽層を電気的に接地したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/14
, H01L 23/28
, H05K 9/00
