特許
J-GLOBAL ID：200903004035110861
配向性多層強誘電体薄膜およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342912
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 有機金属化合物の加水分解を利用して単結晶基板上に形成された、表面が光学的に平滑かつ透明で配向性をもち、光学素子として利用可能な強誘電体薄膜およびその作製方法を提供する。【構成】 単結晶基板1上に、高密度で屈折率が単結晶並であるが光学的に平滑ではない表面を持ち、結晶が配向した第1層目の強誘電体層2が形成され、その上に第1層目の強誘電体層より低密度で、単結晶よりも低屈折率であるが、光学的に平滑な表面を持ち、結晶が配向した第2層目の強誘電体層3が形成された構造を有する配向性多層強誘電体薄膜。この配向性多層強誘電体薄膜は、有機金属化合物の溶液を単結晶基板上に塗布し熱処理を施す工程を、繰り返して作製され、その場合、第1層目を、400〜1000°Cの範囲の温度における熱処理により形成し、第2層目を、上記温度よりも低く、かつ200〜600°Cの範囲の温度における熱処理により形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に、高密度で屈折率が単結晶並であるが光学的に平滑ではない表面を持ち、結晶が配向した第1層目の強誘電体層が形成され、その上に第1層目の強誘電体層より低密度で、単結晶よりも低屈折率であるが、光学的に平滑な表面を持ち、結晶が配向した第2層目の強電体層が形成されていることを特徴とする配向性多層強誘電体薄膜。
IPC (3件)：
H01B 3/00
, B32B 7/02 103
, H01B 19/00 321
