特許

J-GLOBAL ID：200903004037276058

メッキ膜の形成方法及び形成装置

発明者： 飯島 匡 ,  松田 哲朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058487
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 無電解メッキにおいて平滑なメッキ膜を形成する。【解決手段】 無電解メッキによる成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返し行うことにより被処理基板25表面に所望のメッキ膜を形成する。成膜工程は無電解メッキ液32をノズル22から被処理基板表面に供給することによって行われ、エッチング工程はエッチング液31をノズル21から被処理基板表面に供給することによって行われる。

請求項（抜粋）：

無電解メッキによる成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返し行うことにより被処理基板表面に所望のメッキ膜を形成することを特徴とするメッキ膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/31 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/288 Z ,  C23C 18/31 Z ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/88 B

Fターム (34件)：

4K022AA05 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4K022DB17 ,  4K022DB18 ,  4K022EA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA64 ,  5F033BA11 ,  5F033BA16 ,  5F033BA17 ,  5F043AA25 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD14 ,  5F043DD26 ,  5F043EE02 ,  5F043EE27 ,  5F043EE33 ,  5F043FF07 ,  5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-066374
  
• 特開昭63-250466
  
• 特開昭63-070925